图9 LA、堂打L2A和L3A转化为LT示意图文章篇幅有限，多有不全之处，欢迎批评指正。

（b）PtTe2/Au/CoTb叠层的AHE，堂打分别沿x轴和z轴扫描外部磁场。（b）在2K时，堂打PtTe2薄膜的MR沿两个不同方向的磁场变化。

在众多新材料中，堂打过渡金属二硫化碳（TMD）由于具有可调控的电导率和自旋轨道耦合等优势而备受关注。在目前研究的TMD中，堂打PtTe2的自旋霍尔电导率（0.2-2×105ℏ/2e(Ωm)-1）最大，可与Pt和拓扑绝缘体相比。（d）PtTe2/Au/CoTb异质结构的开关相图，堂打其中Ic是临界开关电流。

堂打（b）厚度约为5nm（顶部）和10nm（底部）的大面积PtTe2薄膜。堂打（d-e）各种PtTe2薄膜的X射线衍射和拉曼光谱。

利用PtTe2的大SOT，堂打进一步实现了PtTe2/Au/CoTb器件中垂直磁化的有效切换。

图二、堂打PtTe2薄膜的传输特性（a）PtTe2薄膜中电导率的温度依赖性。虽然目前该团队只涉足了游泳比赛的制作，堂打但其团队负责人Gonzalez向Digiday表示他们还将会制作体操比赛的数据分析图，堂打并随着比赛的深入涉足更多的项目。

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